AI浪潮正以前所未有的力度重塑半導體產業格局，將行業推入一輪由技術革新與需求爆發共同驅動的“超級周期”。存儲市場量價齊升，先進制程與封裝技術迭代，則直接拉動了上游制造環節的資本開支。在此背景下，聚焦產業鏈核心環節的 科創半導體ETF華夏(588170) 與 半導體設備ETF華夏(562590) ，憑借其精準卡位設備、材料等“賣鏟人”賽道，或可成為投資者把握本輪國產化加速與全球景氣共振機遇的關鍵工具。

近期，增量利好持續強化半導體景氣敘事：

?4月7日，三星電子宣布Q2 DRAM合約價格環比上漲30%，在一季度已經上漲100%基礎上。

?A股半導體相關公司一季度業績爆發，海光、沐曦、德明利、佰維、江波龍、兆易創新等表現亮眼。

?臺積電3月單月營收達4151.91億新臺幣，折合131億美元，同比激增45.2%，刷新歷史最高月營收紀錄，一季度營收超出業績指引上限。

?NAND閃存芯片巨頭閃迪將于4月20日開盤前正式納入納斯達克100指數，過去一年閃迪股價累計漲幅超2600%，市值突破1257億美元。

?4月14日，海關總署發布3月我國進出口數據，據媒體分析，集成電路出口金額同比大增84.92%，較前兩月72.6%的增速進一步攀升。?全球內存延續供不應求格局

存儲價格延續超預期上行通道，高位維持時間顯著長于以往。2025年四季度起，存儲價格漲幅持續超出市場預期，2026年一季度DRAM、NAND合約價格環比翻倍，遠超此前40%-50%的預期，反映市場處于超級賣方格局。

雖然目前市場預計后續季度漲幅將逐步收斂，但在AI基礎設施推動的供需緊張態勢下，行業景氣度至少可持續至2028年，價格高位運行的持續時間將遠超以往周期。

根據TrendForce等多家市場研究機構的預測，2026年第二季度一般型DRAM合約價格預計將環比增長58%至63%，而NAND Flash合約價格的環比漲幅更為顯著，預計將達到70%至75%。

長協模式變革大幅提升行業確定性，延長景氣周期。在本輪AI驅動的超級周期中，存儲長協模式已從過去1年期、鎖量不鎖價、違約成本低的客戶主導模式，轉向3–5年期、以2026年初價格為地板價、高預付款與高違約成本的原廠主導模式。目前CSP等下游客戶對漲價及長協接受度高，此類長協（如美光已簽5年協議）提升了原廠毛利率能見度與業績確定性，有望拉長本輪行業高景氣的持續時間。

3月底現貨市場波動屬局部現象，不影響合約價格長期上行趨勢。近期存儲現貨價格出現回調，主要源于電競等細分需求疲軟，但該領域僅占整體市場規模約千分之一，屬于極小的結構性調整?，F貨市場（占整體約10%）的短期波動并未改變大廠逢低采購的意愿，更未動搖合約市場的供需格局，2026年全年合約價格仍將保持上行，2027年也有望維持高位。模型迭代、多模態、推理測長文本等，AI對存儲驅動力具備持續性

過去，存儲周期的主要驅動力是智能手機和PC的更新換代，本輪“超級周期”的是生成式AI大模型的快速迭代及其帶來的海量數據存儲、處理和檢索需求，AI服務器對存儲的消耗量呈指數級增長，單臺AI服務器的存儲需求量是傳統服務器的8-10倍。

以大語言模型為例，GPT-3的參數量為1750億，而GPT-4o的參數量已超過1.5萬億，模型規模在幾年內增長了超400倍。GPU算力的提升速度遠超存儲器帶寬的增長速度，導致“內存墻”成為制約AI模型發展的核心瓶頸，為了打破這一瓶頸，HBM（高帶寬內存）應運而生，通過3D堆疊和TSV（硅通孔）技術，實現了遠超傳統DDR內存的帶寬，是本輪存儲核心增量。

多模態數據對存儲需求更高，從文本到圖片再到視頻，數據量呈幾何級數增長，AI生成視頻所需的數據量是文本的100倍以上，AI用1.5年生成的圖片容量相當于人類過去150年拍照的總和，而視頻大模型所需的內存容量更是圖片的100多倍。

推理端的存儲需求正在發生質變，AI應用從簡單的對話助手（Chatbot）向具備自主規劃和持續學習能力的通用智能體（Agentic AI）演進，在長文本處理和多輪對話中，KV Cache是內存占用的核心增量，其占用空間隨上下文長度線性擴張，在批處理場景下會被進一步放大。例如，當上下文從4K擴展到128K時，KV Cache的占用會直接擴大32倍。Agentic AI的全天候運行與復雜推理：Agentic AI需要7×24小時不間斷運行，具備長期記憶和遠程執行能力。

這種主動、自主的持續學習系統相比被動的單任務模型，需要更龐大且可靠的存儲資源（包括DRAM和NAND）來支持上下文理解和自主規劃。推理狀態的持久化與存儲層級重構：隨著推理負載向長上下文、多輪次演進，推理狀態的存續時間逐漸超過單個GPU的執行周期。KV Cache必須在GPU內存之外持久化保存，這推動了存儲架構的重構，例如英偉達推出的推理上下文內存存儲方案，為每GPU額外增加16TB內存，直接拉動了NAND（特別是eSSD）的需求。從2026年行業發展趨勢來看，AI領域終端創新、算力基礎設施建設持續推進，全球晶圓廠資本開支持續增長，2026-2027年國內先進邏輯、存儲產線擴產有望提速，對應設備國產化率將迎來從一到N的提升階段，國產設備需求持續保持高增長，科創半導體ETF華夏(588170.SH)、半導體設備ETF華夏(562590.SH)等聚焦半導體制造、材料及設備細分方向的指數有望表現領先。

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